Infineon steckt 1,1 Milliarden Euro in GaN-Chipfabrik in Villach

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Silizium war gestern, zumindest in Kärnten: Infineon baut in Villach die nach eigenen Angaben weltweit erste Hochvolumenfertigung für Leistungshalbleiter aus Galliumnitrid (GaN) auf 300-Millimeter-Wafern. Bis 2034 investiert der Münchner Chipkonzern rund 1,1 Milliarden Euro in bestehende Reinraumflächen am Standort, wie Infineon soeben bei einem Pressegespräch in Wien bekanntgab. Die Produktion soll Ende 2027 starten.

Warum Galliumnitrid?

Leistungshalbleiter steuern, wie Strom fließt, vom Handy-Ladegerät bis zum Server. Galliumnitrid kann Strom deutlich schneller und effizienter schalten als klassisches Silizium, dadurch entstehen kleinere Geräte mit weniger Energieverlust und weniger Abwärme. Infineon zielt damit vor allem auf diese Märkte:

• KI-Rechenzentren: Effizientere Stromversorgung für Server, deren Energiehunger rasant wächst.
• Energie-Infrastruktur: Etwa Solaranlagen und Netztechnik.
• Elektromobilität und Robotik: Kompaktere Antriebe und Ladetechnik.
• Konsumentenelektronik: Kleinere und schnellere Ladegeräte.

Der Sprung auf 300-Millimeter-Wafer ist dabei der Kern der Ankündigung. Ein größerer Wafer bringt laut Infineon die 2,3-fache Menge an Chips im Vergleich zu den bisher üblichen 200-Millimeter-Wafern. Die ersten 300-Millimeter-GaN-Wafer hatte Infineon bereits vor zwei Jahren prozessiert, nun soll die Technologie in die Massenfertigung gehen. Der Hochlauf erfolgt laut Konzern „im Einklang mit der Marktnachfrage“. Laut dem Marktforscher Yole Group soll der Markt für GaN-Leistungshalbleiter bis 2031 auf rund 3,5 Milliarden Dollar (etwa 3,1 Milliarden Euro) wachsen, das entspricht einem Plus von rund 35 Prozent pro Jahr.

„Mit der Errichtung der 300-Millimeter-Hochvolumenfertigung bringen wir Galliumnitrid-Leistungselektronik als erstes Unternehmen weltweit in die Volumenfertigung“, sagt Infineon-CEO Jochen Hanebeck.

319 Millionen Euro Förderung, aber keine neuen Jobs

Die Investition wird im Rahmen des European Chips Act mit 319 Millionen Euro gefördert, die EU-Kommission hat die Staatshilfe bereits genehmigt. Die formelle Zusage des österreichischen Wirtschaftsministeriums steht noch aus. Die Politik feiert das Projekt entsprechend: Laut Bundeskanzler Christian Stocker handelt es sich um „eine der größten Einzelinvestitionen in der Geschichte der österreichischen Hightech-Industrie“. Wirtschaftsminister Wolfgang Hattmannsdorfer verweist darauf, dass Europa nur rund zehn Prozent der weltweiten Chipproduktion stellt, und will die Förderung „mit klaren Förderkriterien für den Standort“ vergeben.

Neue Arbeitsplätze entstehen durch die Milliarde allerdings keine. Die Investition sichere bestehende Jobs, sagte Infineon-Austria-Chefin Sabine Herlitschka laut der Nachrichtenagentur dpa. Infineon Austria beschäftigt rund 5.800 Mitarbeiter:innen, etwa 4.800 davon in Villach. Weil das Werk in vorhandene Reinräume eingebaut wird, fällt das Projekt zudem deutlich kleiner aus als etwa die neue Fabrik in Dresden, die Infineon im Sommer eröffnet hat und die mit rund 5 Milliarden Euro die größte Einzelinvestition der Firmengeschichte ist.

Für den Konzern kommt die Ankündigung in einer schwierigen Phase an der Börse. Die Infineon-Aktie hat seit Mitte Juni rund 40 Prozent verloren, Chipwerte stehen derzeit generell unter Druck.

Die Konkurrenz

Im GaN-Markt ist zuletzt viel Bewegung. Der weltgrößte Auftragsfertiger TSMC hat angekündigt, sein GaN-Foundry-Geschäft bis Mitte 2027 einzustellen, unter anderem wegen des Preisdrucks durch chinesische Anbieter, wie TrendForce berichtete. Der wichtigste dieser Herausforderer ist Innoscience aus China, das sich als größter GaN-Hersteller auf 200-Millimeter-Wafern bezeichnet. Dazu kommen spezialisierte GaN-Firmen wie Navitas aus den USA sowie große Halbleiterkonzerne wie STMicroelectronics und Texas Instruments, die ebenfalls an GaN-Leistungschips arbeiten. Infineon setzt darauf, mit dem früheren Umstieg auf 300-Millimeter-Wafer einen Kostenvorteil gegenüber der Konkurrenz aufzubauen.